Категория продуктов :MOSFET
Vgs (макс.) :± 20 В
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :65A (Tc)
Тип FET :N-канал
Тип установки :Поверхностный монтаж
Загрузка шлюза (Qg) (Max) @ Vgs :13nC @ 4,5 В
Производитель :Infineon Technologies
Минимальное количество :2000
Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение) :4.5В, 10В
Рабочая температура :-55°C ~ 175°C (TJ)
Функция FET :-
Серия :HEXFET®
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds :1030pF @ 15V
Пакет изделий поставщика :D-PAK
Статус части :Активный
Упаковка :Лента и катушка (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :8.4 мОм @ 25А, 10В
Рассеивание мощности (макс.) :65 Вт (Tc)
Пакет / чемодан :TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Технология :MOSFET (металлическая окись)
Vgs(th) (Max) @ Id :2.35В @ 25μA
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :30 В
Описание :MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
more