Полярность транзистора :N-канал
Технология :Si
Id - непрерывный отводный ток :900 мам
Стиль установки :SMD/SMT
Минимальная рабочая температура :- 55 c
Пакет / чемодан :U-DFN1212-3
Максимальная рабочая температура :+ 150 C
Режим канала :Повышение
Vds - напряжение отключения источника отвода :20 В
Упаковка :Катушка
Vgs th - Пороговое напряжение источника :450 mV
Категория продуктов :MOSFET
Rds On - Сопротивление источника оттока :350 мОмм
Количество каналов :1 канал
Vgs - напряжение источника входа :12 В
Qg - заряд порта :ПК 500
Производитель :Диоды встроенные
Описание :MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL шлюз 1,0V
more