Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
IGBT
Модули IGBT
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :130 a
Статус продукта :Старый
Тип установки :Подвеска на шасси
Пакет :Насыщенные
Серия :-
Пакет / чемодан :SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic :3,7 В при 15 В, 100 А
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :1200 В
Пакет изделий поставщика :SP3
Мфр :Корпорация Микросеми
Операционная температура :-
Ток - предел коллектора (макс.) :250 μA
Тип IGBT :ДНЯО
Мощность - Макс :780 Вт
Ввод :Стандартный
Вводная емкость (Cies) @ Vce :6,5 нФ при 25 В
Конфигурация :Половина моста
Термистор NTC :- Да, конечно.
Описание :IGBT MODULE 1200V 130A 780W SP3
more