продукты Поставщики Sign in Register

Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,

Leader in Photonic & Laser Technology

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Lasers /

Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм

Категории продукта

Автомат для резки лазера

 [37]

Машина маркировки лазера

 [27]

лазерный сварочный аппарат

 [14]

Машина чистки лазера

 [5]

лазеры

 [72]

Оптика & кристаллы

 [14]

Лазерные детали

 [35]

Лазерный инструмент

 [16]
контакт
Wuhan Sintec Optronics Co., Ltd,
Посетите вебсайт
Город:wuhan
Область/Штат:hubei
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrSteven
контактная информация
контакт
China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм wholesale
  • China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм wholesale
  • China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм wholesale
  • China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм wholesale
  • China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм wholesale
  • China Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм wholesale

Чипы диодов с одним эмиттером и неизолированные полосы от 638 нм до 1550 нм
Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Минимальное количество заказов :1
Время доставки :Запасы
Срок поставки :5-7days
Условия оплаты :Т/Т через банк
Номер модели :Серия STR
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Чипы диодов с одним эмиттером и голые шины от 638 нм до 1550 нм

1. Один излучатель

Микросхемы лазерных диодов с одним излучателем (SE) являются базовым конструктивным блоком для мощных полупроводниковых лазерных модулей высокой яркости.Мы производим одиночные чипы с различной выходной мощностью и длиной волны.

Номер части Длина волны, нм Выходная мощность Ток/напряжение Ширина излучения, мкм Дивергенция, град Размер, мкм
СТР-638А-110-1-1,5-СЭ 638 1 Вт 1,4 А/2,1 В 110 8/35 1500x400x150
СТР-755А-350-8-2,5-СЭ 755 8 Вт 8А/1,9В 350 9/38 2500x500x150
СТР-808А-150-3-1-СЭ 808 3 Вт 3А/1,9В 150 8/24 1000x500x150
СТР-808А-190-10-4-СЭ 808 10 Вт 10А/1,8В 190 10/38 4000x500x150
СТР-808А-350-10-2,5-СЭ 808 10,5 Вт 10А/1,8В 350 8/36 2500x500x150
СТР-880А-190-10-4-СЭ 880 10 Вт 12А/1,8В 190 8/32 2500x500x150
СТР-880А-350-10-2,5-СЭ 880 9,8 Вт 10А/1,8В 350 8/34 2500x500x150
СТР-905А-74-25-0,75-СЭ 905 25 Вт 7А/7,2В 74 13/30 750 x 400 x 150
СТР-905А-150-50-0,75-СЭ 905 50 Вт 14А/7,6В 150 31 декабря 750X400X150
СТР-905А-200-75-0,75-СЭ 905 75 Вт 20А/8,4В 200 12/30 750X400X150
СТР-905Б-200-25-0,75-СЭ 905 25 Вт 20А/3,8В 200 14 750X600X150
СТР-905-38-15-0,75-СЭ 905 15 Вт 5А/9,2В 38 35/30 750X400X150
СТР-905С-70-25-0,75-СЭ 905 25 Вт 8А/8,2В 70 17/30 750X400X150
СТР-905С-300-75-0,75-СЭ 905 75 Вт 22А/9,5В 300 12/30 750 x 400 x 150
СТР-905Д-300-100-0,75-СЭ 905 100 Вт 22А/11В 300 13/30 750 x 400 x 150
СТР-915А-96-12-4.8-СЭ 915 12 Вт 12А/1,6В 96 26.10. 4800x500x150
СТР-915А-190-20-4-СЭ 915 20 Вт 20А/1,7В 190 26.10. 4000x500x150
СТР-940А-96-12-4.8-СЭ 940 12 Вт 12А/1,6В 96 26.10. 4800x500x150
СТР-940А-190-20-4-СЭ 940 20 Вт 20А/1,7В 190 26.10. 4000x500x150
СТР-976А-96-10-4.8-СЭ 976 10 Вт 10А/1,8В 96 27 сентября 4800x500x150
СТР-976А-96-12-4.8-СЭ 976 12 Вт 12А/1,6В 96 26.10. 4800x500x150
СТР-976А-96-13-4-СЭ 976 13 Вт 12,5 А/1,5 В 96 8/28 4000x500x150
СТР-976А-190-15-4-СЭ 976 15,5 Вт 15А/1,6В 190 29.10 4000x500x150
СТР-976А-190-20-4-СЭ 976 20 Вт 20А/1,7В 190 26.10. 4000x500x150
СТР-1064А-190-10-4-СЭ 1064 10 Вт 14А/0,9В 190 10/30 4000x500x150
СТР-1064А-350-10-2,5-СЭ 1064 10 Вт 13А/1,6В 350 29.10 2500x500x150
СТР-1470А-96-1,5-1-СЭ 1470 1,5 Вт 4А/1,4В 96 31 ноября 1000x500x150
СТР-1470А-96-3-2-СЭ 1470 3 Вт 9А/1,5В 96 28.11 2000x500x150
СТР-1550А-96-1,5-1-СЭ 1550 1,5 Вт 4А/1,4В 96 31 ноября 1000x500x150
СТР-15500А-96-3-2-СЭ 1550 3 Вт 9А/1,5В 96 28.11 2000x500x150

2. Голые бары

Bare bar представляет собой массив отдельных полупроводниковых лазерных чипов с суммарной выходной мощностью от десятков до нескольких сотен ватт.Наш запатентованный процесс пассивации граней обеспечивает надежность, необходимую для самых строгих приложений.

В следующей таблице WL означает длину волны, I/V означает рабочий ток/напряжение, N означает количество излучателей, P/ширина означает период (мкм)/ширину излучателя (мкм), L/W/T означает длину/ширину/ толщина бруска.

Номер части WL нм Режим Власть И/В Н P/Ширина гм Заполнение L/W/T мкм
СТР-755А-48-80-23-1,5-БАР 755 QCW 80 Вт 86А/1,9В 23 499/190 48% 1500x10000x150
СТР-808А-30-50-19-1-БАР 808 CW 50 Вт 45А/1,7В 19 500/150 30% 1000x98000x150
СТР-808А-48-100-23-1,5-БАР 808 CW 100 Вт 88А/1,75В 23 400/190 48% 1500x9800x150
СТР-808А-72-300-34-1,5-БАР 808 QCW 300 Вт 190А/1,85В 34 290/210 72% 1500x10000x150
СТР-940А-30-100-19-2-БАР 940 CW 100 Вт 95А/1,65В 19 500/150 30% 2000x10000x150
СТР-940А-50-200-24-3-БАР 940 CW 200 Вт 195А/1,63В 24 400/200 50% 3000x10200x150
СТР-940А-76-600-40-2-БАР 940 QCW 600 Вт 600А/1,8В 40 250/190 76% 2000x10400x150
СТР-976А-10-35-5-4-БАР 976 CW 35 Вт 35А/1,7В 5 1000/100 10% 4000x5000x150
СТР-1470А-18-8-6-2-БАР 1470 CW 8 Вт 24А/1,4В 6 400/96 18% 2000x3000x150
Метки товара:

catalyst 2960 series specs

cisco catalyst 2960 specs

nichia led chip smd
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4