BWT Beijing Ltd.

BWT Воодушевите мир

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
17 лет
Главная / продукты / High Power Diode Lasers /

наивысшая мощность лазеров диода насоса 915нм/160В, модуль лазера ОЭМ

контакт
BWT Beijing Ltd.
Посетите вебсайт
Город:beijing
Область/Штат:beijing
Контактное лицо:MsBWT Sales Team
контакт

наивысшая мощность лазеров диода насоса 915нм/160В, модуль лазера ОЭМ

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Номер модели :К915ФН1РН-160.0В
Количество минимального заказа :1 часть/часть
Срок поставки :4-8weeks
Термины компенсации :T/T
Способность поставки :100,000/Year
Название продукта :модуль лазерного диода наивысшей мощности
Сила выхода :160В
Длина волны :915нм
Диаметр жгута оптического волокна :106.5µм
Численная апертура :0.22Н.А
Применение :Нагнетать лазера волокна
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Особенности:

длина волны 915нм

сила выхода 160В

диаметр ядра волокна 106.5µм

0.22Н.А.

предохранение от обратной связи 1020нм-1200нм

Применения:

Нагнетать лазера волокна

 
 

Спецификации (25℃)

 

Символ

 

Блок

 

К915ФН1РН-160.0В
Минимум Типичный Максимум
Оптически данные Сила КВ-выхода По В 160 - -
Разбивочная длина волны λк нм 915±10
Спектральная ширина (ФВХМ) △λ нм - 6 -
Перенос длины волны с температурой △λ/△Т нм/℃ - 0,3 -
Перенос длины волны с течением △λ/△А нм/А - 1 -
Коэффициент 0.15/0.22 пятна НА % - 95 -
Электрические данные Электрическ-к-оптически эффективность ПЭ %   44 -
Течение порога лтх А - 0,6 -
Рабочий ток сокращайте А - - 15
Рабочий потенциал Воп В - - 29
Эффективность наклона η В/А - 12 -

Данные по волокна

 

Диаметр ядра Дкоре μм - 106,5 -
Диаметр плакирования Дклад μм - 125 -
Численная апертура НА НА - 0,22 -
Длина волокна Лф м - 2,0 -
Диаметр трубопровода волокна свободный - μм 0.9мм ПТФЭ
Минимальный радиус загиба - мм 50 - -
Прекращение волокна - - - Никакие -
Изоляция обратной связи Длина волны заднего отражения λ нм 1020-1200
Изоляция заднего отражения - дБ - 30 -
Другие ЭСД Весд В - - 500
Температура хранения Цт -20 - 70
Темп руководства паяя Тльс - - 260
Время руководства паяя т сек - - 10
Работая температура случая Верхняя часть 15 - 35
Относительная влажность РХ % 15 - 75
Запрос Корзина 0