BWT Beijing Ltd.

BWT Воодушевите мир

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
17 лет
Главная / продукты / Diode Laser Module /

модуль лазера лазеров диода наивысшей мощности 915nm 30W для нагнетать лазера

контакт
BWT Beijing Ltd.
Посетите вебсайт
Город:beijing
Область/Штат:beijing
Контактное лицо:MsBWT Sales Team
контакт

модуль лазера лазеров диода наивысшей мощности 915nm 30W для нагнетать лазера

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Номер модели :K915DA3RN-30.00W
Количество минимального заказа :1 Piece / Pieces
Срок поставки :4-8weeks
Термины компенсации :T/T
Способность поставки :100,000/Year
Название продукта :модуль лазерного диода наивысшей мощности
Сила выхода :30В
Длина волны :915нм
Диаметр жгута оптического волокна :105µм
Численная апертура :0.22Н.А
Применение :нагнетать лазера, медицинское использование, материальная обработка
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Особенности:

длина волны 915нм

сила выхода 30В

диаметр ядра волокна 105µм

0.22Н.А.

предохранение от обратной связи 1040нм-1200нм

Применения:

Нагнетать лазера

Медицинское использование

Материальная обработка

 

 

Спецификации (25℃)

 

Символ

 

Блок

 

К915ФА3РН-30.00В
Минимум Типичный Максимум
Оптически данные Сила КВ-выхода По В 30 - -
Разбивочная длина волны λк нм 915±10
Спектральная ширина (ФВХМ) △λ нм - 6 -
Перенос длины волны с температурой △λ/△Т нм/℃ - 0,3 -
Перенос длины волны с течением △λ/△А нм/А - 1 -
Электрические данные Электрическ-к-оптически эффективность ПЭ %   48 -
Течение порога лтх А - 0,9 -
Рабочий ток сокращайте А - 12 13
Рабочий потенциал Воп В - 4,8 6
Эффективность наклона η В/А - 2,7 -

Данные по волокна

 

Диаметр ядра Дкоре μм - 105 -
Диаметр плакирования Дклад μм - 125 -
Диаметр буфера Дбуф μм - 245 -
Численная апертура НА НА - 0,22 -
Длина волокна Лф м 0,9 1 -
Диаметр трубопровода волокна свободный - μм ПВК 15км 0.9мм
Минимальный радиус загиба - мм 60 - -
Прекращение волокна - - - Никакие -
Изоляция обратной связи Длина волны заднего отражения λ нм 1040-1200
Изоляция заднего отражения - дБ - 30 -
Другие ЭСД Весд В - - 500
Температура хранения Цт -20 - 70
Темп руководства паяя Тльс - - 260
Время руководства паяя т сек - - 10
Работая температура случая Верхняя часть 15 - 35
Относительная влажность РХ % 15 - 75
Запрос Корзина 0