Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля
канал держателя IRFR024NTRPBF d Пак n транзистора наивысшей мощности 17a 55v 45w поверхностный
Транзистор наивысшей мощности MOhms канала 56 транзисторов 59A 300V n FDA59N30 NPN PNP
пакет СЛУЧАЯ 211-11 высокой эффективности транзистора наивысшей мощности 28В 80В МРФ173
тип 600V 105 MOhm. Mosfet силы канала 26A n, одиночный транзистор наивысшей мощности
2СК2987 транзисторы силы кремния НПН, транзистор наивысшей мощности 120В 20А
Многофункциональный полупроводник карбида кремния высокомощный транзистор SiC MOS
Прочный полупроводник из карбида кремния, многофункциональный высокомощный транзистор
Переключатель транзистора наивысшей мощности
Профессиональный AUIPS7145RTR высокомощный транзистор, горизонтальный выходной транзистор
транзисторы наивысшей мощности 28В РФ ФЭЦ 700-1000МХз ЛДМОС 260В с интегрированным предохранением от ЭСД
Частота 700MHz транзисторов силы HMC789ST89ETR RF общецелевая
Переключите пакет транзистора силы ТИП42К Нпн цепи высоковольтный 100В 6А ТО220
MOSFET 2N7002T наивысшей мощности Транзистор влияния поля 60V режима повышения N-канала, 115mA, 2Ω