Интегральная схемаа ик регулятора прекращения обломока ДДР-ИИ интегральной схемаы ЛП2997МРС
Интегральная схема регулятора окончания DDR-II микросхемы LP2997MRX IC
Пакет FBGA-96 ROHS K4B4G1646E-BYMA Samsung ГДР SDRAM
1-1473005-1 TE Connectivity AMP Разъемы SODIMM DDR SDRAM Socket
Обломок MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D IC памяти 1GB ГДР SDRAM
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Альянс памяти, Inc.
Микрон MT41K256M16TW-107 AIT: Обломок 512Mb DDR3 SDRAM Ic флэш-памяти p
16Мкс16 проходят обломок прошед параллельно параллельно 46В16М16 СДРАМ ИК интегральной схемаы - память ИК 256Мб ГДР
MT46V16M16P-75: Поднос ГДР SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP обломока ДРАХМЫ МИКРОНА F
SDRAM - память IC MT46V16M16P-5B ГДР: Параллель m 256Mbit 200 MHz 700 обломок Ps 66-TSOP электронный IC
ДОСТИГАЕМОСТЬ микросхем памяти FBGA-96 ГДР Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram без изменений
Reg LP2998QMRX/NOPB PMIC прекращения ICs управления силы ГДР
Регулятор 1,35 v прекращения LP2998MA NOPB ГДР до 5,5 v
ДРАХМА IS42S16320F-6TLI Pin TSOP II 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54
Производство подложки памяти IC для DDR/LPDDR
256mbit 54 микросхема памяти SDRAM 16Mx16 3.3V TSOP-II драхмы памяти HY57V561620FTP-HI Pin EEPROM