Shenzhen Baitong Putian Technology Co., Ltd.
Shenzhen Baitong Putian Technology Co., Ltd.
Add to Cart
ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО ПРИВЯЗЫВАЕТ 1 2 4 КАБЕЛЬ ПАДЕНИЯ ЯДРА G657A FTTH С ANATEL
Структура GYTS к стекловолокну оболочки 250um в свободную трубку сделанную из высокого материала модуля, и свободная трубка заполнена с водоустойчивой смесью. Центр кабельной жилы ядр усиленное металлом. Для некоторых кабелей оптического волокна, слою полиэтилена нужно быть сжиманным вне ядра усиленного металлом. Свободная трубка и заполняя веревочка переплетены вокруг центрального усиливая ядра для того чтобы сформировать ядр компакта и круглого кабеля, и зазоры в кабельной жиле заполнены с водой преграждая заполнители.
Блок стекловолокна расположен в центр. 2 параллель усилила стальной провод помещены на 2 сторонах. (A FRP по мере того как дополнительный член прочности также приложен). после этого, кабель завершен с оболочкой черноты или цвета LSZH.
| Рабочий параметр кабеля | |||
| Метр пяди | 200 | 300 | 400 |
| Родственное напряжение прочности (RTS) | kn 17,5 | kn 20,6 | kn 28 |
| Максимальное позволяемое напряжение (ЦИНОВКА) | kn 6,9 | kn 8,2 | kn 11,5 |
| Позволяемое сопротивление толкотни | Долгосрочность: 1100 n/100mm | Долгосрочность: 1100 n/100mm | Долгосрочность: 1100 n/100mm |
| Недолгосрочный: 2200 n/100mm | Недолгосрочный: 2200 n/100mm | Недолгосрочный: 2200 n/100mm | |
| Минимальный радиус загиба | Работать: 220 mm | Работать: 220 mm | Работать: 220 mm |
| Installlation: 360 mm | Installlation: 360 mm | Installlation: 360 mm | |
| Диапазон температур | Работать: -40/+70℃ | Работать: -40/+70℃ | Работать: -40/+70℃ |
| Installlation: -15/+60℃ | Installlation: -15/+60℃ | Installlation: -15/+60℃ | |
| Из материала оболочки | Электрическое сопротивление НА (материал 6081 Borealis) оболочке | ||
| Примечание | настыль льда 5MM, скорость засорителя: 30M/S | ||
Параметр волокна
|
Нет. |
Детали |
Блок |
Спецификация |
|
|
G.652D |
||||
|
1 |
Диаметр поля режима |
1310nm |
μm |
9.2±0.4 |
|
1550nm |
μm |
10.4±0.5 |
||
|
2 |
Диаметр плакирования |
μm |
124.8±0.7 |
|
|
3 |
Не-циркулярность плакирования |
% |
≤0.7 |
|
|
4 |
Ошибка концентричности Ядр-плакирования |
μm |
≤0.5 |
|
|
5 |
Покрывая диаметр |
μm |
245±5 |
|
|
6 |
Покрывая Не-циркулярность |
% |
≤6.0 |
|
|
7 |
Ошибка концентричности Плакировани-покрытия |
μm |
≤12.0 |
|
|
8 |
Критическая длина волны кабеля |
nm |
λcc≤1260 |
|
|
9 |
Амортизация (максимальная) |
1310nm |
dB/km |
≤0.36 |
|
1550nm |
dB/km |
≤0.24 |
||
