УНР5119Г0Л

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Одиночные биполярные транзисторы с

Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 МА

Статус продукта :Старый

Тип транзистора :ПНП - предвзятое

Частота - переходный период :80 МГц

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет :Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®

Серия :-

Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :250mV @ 300μA, 10mA

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В

Пакет изделий поставщика :SMini3-F2

Резистор - основа (R1) :kOhms 1

Мфр :Электронные компоненты Panasonic

Резистор - база излучателя (R2) :10 kOhms

Ток - предел коллектора (макс.) :500nA

Мощность - Макс :150 mW

Пакет / чемодан :SC-85

Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 10В

Номер базовой продукции :UNR511

Описание :Транс Пребиас ПНП 150 МВт SMINI3

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) PNP - Предварительно предвзятый 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Поверхностная установка SMini3-F2

Запрос Корзина 0

Процессор микроконтроллера