NE3515S02-А

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET

Статус продукта :Старый

Напряжение - номинальное :4 В

Пакет :Насыщенные

Серия :-

Число шума :0.3dB

Пакет изделий поставщика :S02

Напряжение тока - тест :2 v

Мфр :КЛЭ

Частота :12 ГГц

Прибыль :12.5 дБ

Пакет / чемодан :4-SMD, плоские провода

Настоящий - тест :10 мА

Мощность - выход :14dBm

Технологии :GaAs HJ-FET

Регулируемый ток (ампер) :88mA

Номер базовой продукции :NE3515

Описание :FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Запасы :В наличии

Способ перевозки :LCL, AIR, FCL, Express

Условия оплаты :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

RF Mosfet 2 V 10 mA 12 ГГц 12,5 дБ 14 дБм S02

Запрос Корзина 0

Процессор микроконтроллера