JY13M транзисторы поля силы режима повышения логики канала n и p
Что может обеспечить превосходный RDS (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот. Комплементарное
MOSFETs могут быть использованы в H-мосте, инверторах и других применениях.

ОСОБЕННОСТИ

Прибор	VBR (DSS)	RDS (ДАЛЬШЕ) МАКС TJ =25ºC	Пакет
N-канал	40V	<30mΩ@VGS=10V, ID=12A	TO252-4L
<40mΩ@VGS=4.5V, ID=8A
P-канал	-40V	<45mΩ@VGS=-10V, ID=-12A
<66mΩ@VGS=-4.5V, ID=-8A

●Низкая входная емкость
●Быстрая переключая скорость

Абсолютный максимум оценок (Ta=25ºC если не указано иное)

Параметр	Символ	Канал n	Канал p	Блок
Стеките напряжение тока источника	VDSS	40	-40	V
Напряжение тока источника ворот	VDSS	±20	±20
Непрерывный Стеките настоящее	Ta=25ºC	ID	12	-12
Ta=100ºC	12	-12
Пульсированное течение стока	IDM	30	-30
Максимальная сила Диссипация	Ta=25ºC	PD	2	W
Ta=70ºC	1,3
Соединение и хранение Диапазон температур	TJ TSTG	-55 до 150	ºC
Термальное сопротивление Соединение к окружающему	RθJA	10s	25	ºC/W
Устойчивый	60
Термальное сопротивление Соединение, который нужно покрывать	RθJC	5,5	5	ºC/W

Электрические характеристики (Ta=25ºC если не указано иное)

Символ	Параметр	Условия	Минута	Тип	Макс	Блок
Статический
VGS (th)	Порог ворот Напряжение тока	VDS =VGS, ID =250UA	N-Ch	1,7	2,5	3,0	V
VDS =VGS, ID =-250UA	P-Ch	-1,7	-2	-3,0
IGSS	Утечка ворот Настоящий	VDS =0V, VGS =±20V	N-Ch	±100	nA
P-Ch	±100
IDSS	Нул напряжений тока ворот Стеките настоящее	VDS =40V, VGS =0V	N-Ch	1	uA
VDS =-40V, VGS =0V	P-Ch	-1
ID (ДАЛЬШЕ)	Сток На-государства Настоящий	VDS =5V, VGS =10V	N-Ch	30
VDS =-5V, VGS =-10V	P-Ch	-30
RDS (ДАЛЬШЕ)	Сток-источник На-государство Сопротивление	VGS =10V, ID =12A	N-Ch	24	30	mΩ
VGS =-10V, ID =-12A	P-Ch	36	45
VGS =4.5V, ID =8A	N-Ch	31	40
VGS =-4.5V, ID =-8A	P-Ch	51	66
VSD	Диод передний Напряжение тока	=1.0A, VGS =0V	N-Ch	0,76	1,0	V
=-1.0A, VGS =0V	P-Ch	-0,76	-1,0