Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET :-
Vgs(th) (Max) @ Id :2.5V @ 250µA
Операционная температура :-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан :3-XDFN открытая подставка
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs :11 nC @ 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs :120mOhm @ 2.4A, 10V
Тип FET :P-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) :4.5В, 10В
Пакет :Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss) :30 В
Vgs (макс.) :± 20 В
Статус продукта :Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds :309 pF @ 15 В
Тип установки :Поверхностный монтаж
Серия :-
Пакет изделий поставщика :DFN1010D-3
Мфр :Nexperia USA Inc.
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C :2.4A (животики)
Диссипация силы (Макс) :400 мВт (Ta), 8,3 Вт (Tc)
Технологии :MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции :PMXB120
Описание :MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
more