Категория :Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.) :100 мА
Статус продукта :Активный
Тип транзистора :2 ПНП - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период :250 МГц
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет :Лента и катушка (TR)
Серия :-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic :300mV @ 500µA, 10mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.) :50 В
Пакет изделий поставщика :UMT5
Резистор - основа (R1) :47 кОмм
Мфр :ROHM полупроводник
Резистор - база излучателя (R2) :47 кОмм
Ток - предел коллектора (макс.) :500nA
Мощность - Макс :150 мВт
Пакет / чемодан :5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce :68 @ 5mA, 5В
Номер базовой продукции :UMA2
more